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[原创]电阻,电容选取考量

2025-08-09 01:42:27

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本帖最后由 JoyShockley 于 2015-7-22 21:30 编辑

电阻,电容选取考量

Yizhe Hu

一个完整的工艺库,往往会提供各种选择的电阻和电容,本文根据28nm 工艺库实例,和Jacbo的书来简要讨论一下选取原则。

本文只供新手考量,不足之处烦请指正。

1. 电阻篇

片内电阻主要有:多晶硅电阻(p+ poly,n+ poly),扩散区电阻(p+,n+),和n-well电阻。其中,多晶硅电阻和扩散区电阻,又分为添with silicide和without silicide (通过添加silicide层,可以获得更低的方块电阻值,如图1所示)。

它们的阻值会受到电压和温度的影响,简单的计算公式如下:

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其中,TCR1,VCR1是一阶温度系数和电压系数,单位:10e-6/摄氏度,10e-6/V;

TCR2,VCR2是二阶温度系数和电压系数。

图2. 总结了典型CMOS工艺中各个材料的性能。我们可以发现,

* N-well,p+ poly without silicide都有很大的方块电阻。用于产生几k电阻。

但是,n-well电阻的温度系数和电压系数很大。电压系数大的原因,主要是n-well和p-sub之间的耗尽层随着电压增加而增加。

* 加了silicide层后,各个材料方块电阻显著降低。用于产生几百欧的电阻。

* 各个材料的由于物理特性不同,表现的电压系数,温度系数也不尽相同,应该根据实际应用场合决定。

图3 给出了 28nm工艺下Base band 和 RF各个电阻模型。以RF为例,提供了三种电阻模型:

rppolyl_rf, rpploys_rf, 和rppolywo_rf

这里r 代表resistor,ppoly代表p+ poly,wo代表without silicide,s代表small(W<2um), l代表large(W>2um)。

根据阻值公式 R=方块电阻*(L/W), 我们可以知道,

rppolywo_rf 适合作大电阻1k-几k,用于射频电路中“隔交通直”的作用。例如:LNA和Mixer间的大电阻

rpploys_rf 和 rppolyl_rf 都适合做小电阻几百欧,其中同样L下,rppolyl_rf 能够提供更小的电阻。

我们还发现,射频电阻只有ppoly材料,这可能与ppoly有较小的电压系数,温度系数以及低mismatch相关。

毕竟在射频设计中,电路性能对参数更加敏感。

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图1. 采用Silicide来降低Active Region和Poly的方块电阻

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图2. CMOS工艺各项电阻材料典型性能总结

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图3. 28nm电阻模型

2. 电容篇

CMOS工艺出现过的固定电容主要有:Poly-to-Poly电容,MIM电容,以及MOM电容。

2.1 Poly-to-Poly电容

要实现Poly-to-Poly电容,必须有两层Poly的CMOS结构。图4 显示了Poly-to-Poly电容的结构示意图。

缺点:两层poly工艺,单位面积电容值小,底层poly和P-sub之间会形成大的寄生电容(已淘汰)。

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图4. Poly-to-Poly电容

2.2 MIM电容

MIM电容主要利用不同层金属和他们之间的介质形成电容,如图5所示。

优点:相比于Poly-to-Ploy电容,其可以利用Via和特殊工艺分别将奇数层连接(M9, M7, M5)和偶数层 (M8,M6, M4)连接, 如图5所示),这样可以增加单位面积电容。

缺点:在65nm工艺下,即便用上9层金属和Poly去构建MIM,其单位面积电容也只有(1.4fF/微米平方),而寄生电容Cp可以达到总电容的10%,如图6所示。

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图5. MIM电容结构示意图

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图6. MIM电容及其寄生电容

2.3 MOM电容

与MIM电容不同,MOM电容是主要利用同层金属的插指结构来构建电容,如图7所示。

在图7中,同侧不同层金属可以仅用Via连接,来增加单位面积电容,不需要增加新的工艺,与金属连线制作相同。

这样,9层金属都用上,可以增加约9倍电容值;而对于MIM结构来说,9层金属只能增加约一半4倍(奇数层和偶数层”一正一负“)。

优点:

*高单位电容值

*低寄生电容

*对称平面结构

*优良RF特性

*优良匹配特性

*兼容金属线工序,无需增加额外工序

正因为如此,在先进CMOS制程中,MOM电容已经成为最主要的电容结构。

如图8所示,在28nm工艺中,固定电容只有唯一的MOM形式。

图9 显示了28nm工艺下电容的电路符号和版图。

RF MOM只有唯一的模型:cfmom_wo_rf(上)。它是三端器件,制作在N-well上方,N-well接到VDD,对周围噪声起到屏蔽作用。

BB MOM有两种选择:cfmom_2t(中) cfmom_wo(下)。前者是二端器件,下方没有well。后者为三端器件制作在N-well上。

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2015-7-20 06:26 上传

图7. MOM电容

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图8. 28nm 电容模型

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图9. MOM in 28nm (上: cfmom_wo_rf 中: cfmom_2t 下: cfmom_wo)

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